拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地主体封顶
本报讯 记者姜雪报道 8月10日，拓荆科技位于沈阳市浑南区的高端半导体设备产业化基地完成主体封顶，项目建设迎来关键节点。该项目是辽宁省、沈阳市重点半导体产业项目，也是浑南区推动半导体产业集群发展、构建现代化产业体系的重大支撑。
项目由拓荆科技联合全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司共同投资建设，总投资近18亿元，占地面积147亩，总建筑面积15.6万平方米。项目规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室及综合配套设施，同步搭载先进生产管理系统，致力于打造集规模化、智能化、数字化、绿色化于一体的标杆工厂，建成后将成为拓荆科技全球核心研发制造中心，预计2028年正式投用。
作为高端半导体设备领域龙头企业，拓荆科技深耕薄膜沉积、三维集成领域设备研发与产业化应用，手握国际先进核心技术，产品广泛适配逻辑芯片、存储芯片、功率器件、硅光技术、图像传感器等多领域应用场景。截至目前，拓荆科技产品已导入国内约100条芯片产线，客户端累计流片量约6亿片。企业持续完善产业布局，全国研发制造基地总规模接近30万平方米。
项目建成后，沈阳作为拓荆科技总部基地，最大产能规模将达到每年1000余台，有力支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等系列高端薄膜沉积设备的产业化和公司业务规模的持续扩大、新产品的研发创新与技术迭代，进一步巩固拓荆科技在高端半导体设备领域的竞争优势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。
责编：周艺凝
审核：叶 健
1、北国网所有内容的版权均属于作者或页面内声明的版权人。未经北国网的书面许可，任何其他个人或组织均不得以任何形式将北国网的各项资源转载、复制、编辑或发布使用于其他任何场合；不得把其中任何形式的资讯散发给其他方，不可把这些信息在其他的服务器或文档中作镜像复制或保存；不得修改或再使用北国网的任何资源。若有意转载本站信息资料，必需取得北国网书面授权。否则将追究其法律责任。
2、已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：北国网”。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。
3、凡本网注明“来源：XXX（非北国网）”的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。本网转载其他媒体之稿件，意在为公众提供免费服务。如稿件版权单位或个人不想在本网发布，可与本网联系，本网视情况可立即将其撤除。
